前几天，一则报道引起了国内A股市场、媒体圈和芯片圈的热议。报道称，中国制定了“第三代半导体”发展推进计划，并为该计划准备了约1万亿美元的资金。
随后，部分媒体对第三代半导体产业争相报道。芯片圈再次受到媒体和资本的热烈关注。A股半导体股的狂欢，A股半导体板块大涨，半导体行业指数中46只成分股全部飘红，38只成分股涨幅超过5%。
这是继芯片、光刻机之后，又一个全民受到教育的半导体专业词汇。第三代半导体到底有多神？中国的第三代半导体产业有哪些优势和劣势？我们该如何前行发展？要搞清楚这一切，先让我们从认识第三代半导体开始。
一、何为第三代半导体？
业内所说的第三代半导体包括，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等，主要应用有三大方面：光电子、电力电子和无线射频。应用量最大、被大家提及最多的就是氮化镓和碳化硅。碳化硅主要应用于电力电子、电动汽车、充电桩、新能源等领域；氮化镓则主要用于光电子产品如LED，以及功率放大器等产品上。
实际上，第三代半导体的叫法并不严谨，国际规范的用法不使用第几代来表示，而是用宽禁带表示。第三代半导体是指的是禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，而当前主流的半导体材料硅的禁带宽度是大约是1.12eV（eV即电子伏特，能量单位，表示一个电子经过1V的电位差加速后所获的动能）。
我们知道，物质要导电需要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带，自由空穴存在的能带称为价带。被束缚的电子要想成为自由电子或者空穴，必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。
因此，第三代半导体拥有着这些性能优势：耐高压、耐高温、大功率、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。速度快，开关频率高。
之所以“第三代半导体”这个概念会流行，主要是“宽禁带”这一行业术语较为晦涩，难以理解。不过，“第三代半导体”也确实让人们产生了一种错觉：第三代比第一代强。
二、它比第一代、第二代半导体更先进吗？
从1833年，法拉第发现硫化银材料的电阻随着温度的上升而降低，与金属材料性质大有不同开始，人类对半导体的研究应用正式拉开了序幕，至今已近200年时间。
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